Speed 1.6Gbps pada DDR3 terlampaui sudah, dengan diumumkannya penyelesaian pengerjaan DDR4 oleh Samsung Electronic. Pengembangan ini menggunakan teknologi proses 30nanometer, unbuffered modul memori dual in-line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 yang kemudian dilakukan pengujian oleh pembuat kontroller.
DRAM DDR4 dapat mencapai kecepatan transfer data 2.133 Gbps dengan mengkonsumsi 1.2V, lebih hemat daya dan lebih cepat dibanding dengan DDR3 yang sama-sama dibuat menggunakan teknologi 30nm akan tetapi mengkonsumsi 1.35 – 1.5V yang hanya mampu memberikan kecepatan 1.6Gbps. Pada notebook DDR4 bahkan akan mengurangi konsumsi 40%.
Efisiensi penggunakan daya listrik pada DDR4 dimungkinkan karena Samsung Electronic mengaplikasikan Pseudo Open Drain (POD) teknologi, sehingga DDR4 mampu menghemat energi setengah dari energi yang dikonsumsi pada memori DDR3. Arsitektur tersebut mampu membuat DDR4 berlari sampai 3.2Gbps ( 1.6Gbps pada DDR3, dan 800Mbps untuk DDR2).
Samsung berkosentrasi menguji modul memori DDR4 tersebut dengan bekerja sama dengan para pembuat mesin server, dengan tujuan meloloskan Memori DDR4 tersebut pada standarisasi JEDEC pada semester kedua 2011. sumber :www.techspot.com
